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應用于4~12寸半導體晶圓級封裝WLP植球工藝，涵蓋BGA、WLCSP、Flipchip、Bumping、MEMS、MCM（MCP）、WLP、SiP、TSV、Fan-Out芯片常規芯片和5G芯片。
最小植球錫球直徑：
最小植球間距：
植球位置偏差：
15um
開孔誤差：
±5um
鋼片厚度誤差：
材質：
鎳合金
400~550HV
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